功率金属氧化物场效应管 | 1 | 漏源间反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只测: -3.5kV~3.5kV |
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 | 只测: -3.5kV~3.5kV | |||
2 | 通态电阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只测: 0~10kΩ,,0~1500A | |
3 | 阈值电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只测: -10V~10V | |
4 | 漏极反向电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只测: -100mA~100mA | |
5 | 栅极漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只测: -100mA~101mA | |
6 | 体二极管压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测: 0A~1500A | |
7 | 跨导 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只测: 1ms~1000s | |
8 | 开关时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A | |
9 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 | 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A | ||
10 | 体二极管反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 10ns~2µs | |
11 | 体二极管反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测: 1nC~100µC | |
12 | 栅极电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只测: Qg:0.5nC~500nC | |
13 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A | |
14 | 栅极串联等效电阻 | 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只测: 0.1Ω~50Ω | |
15 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只测: Ph:0.1W~250W | |
16 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 | 只测: Ph:0.1W~250W | ||
17 | 输入电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | |
18 | 输出电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | |
19 | 反向传输电容 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只测: -3kV~3kV,0~1MHz | |
20 | 老炼试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃ | |
21 | 温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 | 只测: HTRB和HTGB试验 | ||
22 | 间歇功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件D(间歇功率) | |
23 | 稳态功率试验 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 | 只测: 条件C(稳态功率) |
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